Донецк, 17 июл – ДАН. Украинские власти по-прежнему манипулируют подачей информации, их абсолютно не волнуют судьбы молодых людей, проживающих в ДНР и ЛНР. Такое мнение сегодня высказала уполномоченный по правам человека в ДНР Дарья Морозова, комментируя решение Киева упростить порядок поступления в вузы для абитуриентов Донбасса.
«Когда я увидела информацию о планируемом упрощении процедуры поступления для студентов ДНР в украинские вузы, мне, как и многим, показалось, что это неплохая новость для выпускников. Но затем, проанализировав ситуацию, я с сожалением убедилась в том, что украинские власти по-прежнему манипулируют подачей информации, их абсолютно не волнуют судьбы молодых людей, которые проживают на территориях Республик», – сказала Морозова.
Согласно официальным данным министерства образования Украины, за 2015 год в украинские вузы поступили 477 151 абитуриент, а уже в 2018 году – 310 326. По словам омбудсмена, сокращение числа поступающих напрямую связано с конфликтом в Донбассе, поскольку ДНР и ЛНР были одними из самых густонаселенных регионов. Сегодня же студенты предпочитают поступать в вузы Республик и учебные заведения РФ.
«Хочу напомнить, что одним из главных условий следующего кредита от МВФ для Украины является реформа образования, которая, по сути, предусматривает закрытие учебных заведений с низким числом студентов. Иначе говоря, представители украинской власти пытаются усидеть на двух стульях одновременно. С одной стороны, спасают свое положение, связанное с утечкой потенциальных абитуриентов, с другой стороны, надеются перехитрить собственных кредиторов», – подчеркнула Морозова.
Ранее президент Украины Владимир Зеленский подписал закон, который упрощает поступление в высшие учебные заведения выпускникам школ Крыма и Донбасса. В офисе украинского президента заявили, что «принятие законодательных изменений позволит поступать в вузы на Украине без внешнего независимого оценивания и иметь возможность поступить во все вузы страны, а не по ограниченным отдельным спискам, как это происходит сейчас». *нм*гж*пп